v66.com官网

中 EN
V66.COM·(中国区)官方网站
V66.COM·(中国区)官方网站
V66.COM·(中国区)官方网站
v66.com官网
ALD-TG
ALD-TG系列为公司自主设计研发的产品系列
ALD-TG系列为公司自主设计研发的产品系列 ,该Batch原子层沉积设备可用于集成电路及Micro-LED显示的出产 ,兼容12寸、8寸及以下晶圆 ,重要用于氧化物薄膜 (氧化铝、氧化钛、氧化硅) 的原子层沉积 ,可延申至其它氧化物薄膜 ,可按需定造。ALD是一种能够在多个领域合用的薄膜沉积技术 ,反映腔内交替通入分歧的先驱体气体 ,在基底通过自限性反映形成原子级精度的薄膜。通过ALD工艺沉积的薄膜拥有99%以上的台阶覆盖性、高致密度、可精准堆叠多层资料等特点。
立即联系
V66.COM·(中国区)官方网站
设备特点

成膜均匀性

01

超高台阶覆盖(>99%)与优良的成膜均匀性

矫捷的工艺

02

矫捷的工艺转换能力

温度窗口

03

宽泛的工艺温度窗口

致密薄膜

04

超薄高机能致密薄膜

厚度节造

05

精确的厚度节造(埃级)

多孔阵列进气

06

多孔阵列进气 ,满足低鼓和蒸气压工艺

产品参数
薄膜资料
Thin Film Material
Al?O?、SiO?、TiO? 台阶覆盖性
Step Coverage
>99%
镀膜速度
Deposition Rate
1-1.4?/cycle、1-1.8?/cycle、0.4-0.6?/cycle 薄膜均匀性
Film Uniformity
≤2%
基板尺寸
Substrate Size
4~12寸 膜厚领域
Film Thickness Range
10~60nm
日产能
Daily Production Capacity
40nm基准 ,800片@4寸 ,200片@6/8寸 ,100片@12寸 工艺温度
Process Temperature
50~300℃
Copyright ? v66.com官网? ?登记号:苏ICP备2022020135号-1
【网站地图】